Rekayasa Memori Ferroelektrik Pada Teknologi Silikon Untuk Kartu Elektronik

Abstract

Kartu elektronik merupakan bentuk pengembangan aplikasi dari chip semikonduktor yang secara langsung memanfaatkan keunggulan dalam hal kepadatan data dan miniaturisasi dari divais elektronika. Untuk mendapatkan kartu elektronik yang berfungsi tinggi, perpaduan antara teknologi silikon dengan kemampuan penyimpanan data yang lebih tinggi merupakan daya tarik bagi para peneliti. Di sini diteliti mengenai memori ferroelektrik untuk mewujudkan rangkaian terintegrasi yang dapat diaplikasikan sebagai pengganti memori tak rentan (non-volatile memory) yang dipalcat selama ini. Dalam integrasi dengan silikon, terbentuknva lapisan oksida yang tidak dikehendaki di antara lapisan semikonduktor dengan lapisan ferroelekirik yang merupakan senyawa oksida merupakan permasalahan yang memerlukan penanggulangan. Pada makalah ini, dipelajari tentang lapisan oksida tersebut dari hasil karakterisasi sifat hstrik dan diperbandingkan dengan hasil pengamatan menggunakan mikmskop elektron. serta dibahas .kemungkinan untuk mendapatkan struktur divais yang lebih balk